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日本開拓出超330UF 35V薄陶瓷電容器 日本開拓出超330UF 35V薄陶瓷電容器
日本京瓷公司依靠獨(dú)創(chuàng)的化學(xué)處理懲罰要領(lǐng),確立了將電容器的電極厚度削減到普通產(chǎn)物三分之一的技能,也由此開拓出了整體厚度只有150微米的超薄疊層陶瓷電容器。 據(jù)《日經(jīng)財(cái)富新聞...
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ROHM開拓出不會(huì)因負(fù)載電容0.47uf 50v產(chǎn)生振蕩的高速運(yùn)算放大器“ ROHM開拓出不會(huì)因負(fù)載電容0.47uf 50v產(chǎn)生振蕩的高速運(yùn)算放大器“
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都會(huì))開拓出一款高速接地檢測(cè)CMOS運(yùn)算放大器“BD77501G”,很是合用于計(jì)量設(shè)...
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印度開拓出可穿著100UF 63V且耐洗滌的超等電容器 印度開拓出可穿著100UF 63V且耐洗滌的超等電容器
印度開拓出可穿著且耐洗滌的超等電容器---印度研究人員最近開拓出一種體積小、可穿著的超等電容器,它可用在衣...
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三星開拓出新型多層陶瓷耐高溫電解電容電容器 比以前辦理方案薄18% 三星開拓出新型多層陶瓷耐高溫電解電容電容器 比以前辦理方案薄18%
據(jù)外媒動(dòng)靜,三星機(jī)電已開拓出一種新的多層陶瓷電容器(MLCC),該電容器比以前的辦理方案薄18%,并具有可以淘汰高頻功率噪聲的三槽布局。 MLCC是用于節(jié)制消費(fèi)電子產(chǎn)物和具有集...
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