隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
9.3.1 RAM的根基布局和事情道理

9.3.2 RAM的存儲(chǔ)單位
一、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）的存儲(chǔ)單位電路
1．存儲(chǔ)單位
2．列選擇線Y和讀／寫節(jié)制電路
二、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM)的存儲(chǔ)單位電路

9.3.3 集成隨機(jī)存儲(chǔ)器2114A、2116先容
一、集成靜態(tài)存儲(chǔ)器2114A
二、集成動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器2116

9.3.4 RAM的擴(kuò)展
一、RAM的位擴(kuò)展
二、RAM的字?jǐn)U展
三、RAM的字、位擴(kuò)展

9.3 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
9.3.1 RAM的根基布局和事情道理
利益：讀寫利便， ST電解電容，利用機(jī)動(dòng)。
缺點(diǎn)：掉電丟失信息。

一、 RAM的布局和讀寫道理

1．存儲(chǔ)單位
存儲(chǔ)單位由V1～V6構(gòu)成。兩個(gè)不變狀態(tài)，別離存儲(chǔ)數(shù)據(jù)1和0。
2．列選擇線Y和讀／寫節(jié)制電路
圖中V5、 V6為受列選擇線Y節(jié)制的門控管，G4、G5和三態(tài)門G1～G3組成讀／寫節(jié)制電路。
當(dāng)列選擇線為低電子0時(shí)，V7、V8均截至，封閉了存儲(chǔ)單位位線與輸入/輸出端的通路，使存儲(chǔ)單位的數(shù)據(jù)不能讀出，也不能被外信號(hào)改寫。當(dāng)列選線為高電平1時(shí)，V7、V8導(dǎo)通，對(duì)存儲(chǔ)單位可舉辦讀/寫操縱，由讀/寫節(jié)制電路和的狀態(tài)節(jié)制
二、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM)的存儲(chǔ)單位電路
動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單位是由MOS管的柵極電容C和門控管構(gòu)成的。數(shù)據(jù)以電荷的形式存儲(chǔ)在柵極電容上，電容上的電壓高暗示存儲(chǔ)數(shù)據(jù)1；電容沒有儲(chǔ)存電荷，電壓為0，表白存儲(chǔ)數(shù)據(jù)0。因存在泄電，使電容存儲(chǔ)的信息不能持久保持，為防備信息丟失，就必需按時(shí)地給電容增補(bǔ)電荷，這種操縱稱為“刷新”，由于要不絕地刷新，所以稱為動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)。
包羅4管MOS動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單位電路和單管MOS動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單位等

9.3.3 集成隨機(jī)存儲(chǔ)器2114A、2116先容
回收數(shù)字電路網(wǎng)絡(luò)課程或PowerPoint
一、集成靜態(tài)存儲(chǔ)器2114A

Intel2114A是單片1 K×4位（即有1 K個(gè)字，每個(gè)字4位）的靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM），它是雙列直插18腳封裝器件，回收5V供電， 33UF 100V，與TTL電平完全兼容。

二、集成動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器2116

Intel 2116單片16 K×1位動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（DRAM），是典范的單管動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)芯片。它是雙列直插16腳封裝器件，回收+12V和 5V三組電源供電，其邏輯電平與TTL兼容。

9.3.4 RAM的擴(kuò)展 （回收數(shù)字電路網(wǎng)絡(luò)課程或PowerPoint并舉辦接頭。）
當(dāng)單片RAM不能滿意存儲(chǔ)容量的要求時(shí)，這時(shí)可把多個(gè)單片RAM舉辦組合，擴(kuò)展成大容量存儲(chǔ)器。
一、RAM的位擴(kuò)展

二、RAM的字?jǐn)U展
字?jǐn)U展就是把幾片溝通RAM的數(shù)據(jù)線并接在一起作為共用輸入輸出端（即位穩(wěn)定），讀/寫節(jié)制線也接在一起，把地點(diǎn)線加以擴(kuò)展，用擴(kuò)展的地點(diǎn)線去節(jié)制各片RAM的片選線 。

三、RAM的字、位擴(kuò)展
當(dāng)RAM的位線和字線都需要擴(kuò)展時(shí)，一般是先舉辦位擴(kuò)展，然后再舉辦字?jǐn)U展。