因其小尺寸、低等效串聯(lián)電阻（ESR）、低本錢(qián)、高靠得住性和高紋波電流本領(lǐng)，多層陶瓷 （MLC） 電容器在電源電子產(chǎn)物中變得極為普遍。一般而言，它們用在電解質(zhì)電容器 leiu 中，以加強(qiáng)系統(tǒng)機(jī)能。對(duì)比利用電解電容器鋁氧化絕緣質(zhì)料時(shí)相對(duì)介電常數(shù)為 10 的電解質(zhì)，MLC 電容器擁有高相對(duì)介電常數(shù)質(zhì)料 （2000-3000） 的優(yōu)勢(shì)。這一差別很重要，因?yàn)殡娙葜苯优c介電常數(shù)相關(guān)。在電解質(zhì)的正端，配置板隔斷的氧化鋁厚度小于陶瓷質(zhì)料，從而帶來(lái)更高的電容密度。

溫度和 DC 偏壓變革時(shí)，陶瓷電容器介電常數(shù)不不變，因此我們需要在設(shè)計(jì)進(jìn)程中領(lǐng)略它的這種特性。高介電常數(shù)陶瓷電容器被分別為 2 類。圖 1 顯示了如何故 3 位數(shù)描寫(xiě)要領(lǐng)來(lái)對(duì)其分類，諸如：Z5U、X5R 和 X7R 等。譬喻，Z5U 電容器額定溫度值范疇為 +10 到 +85o C，其變革范疇為 +22/–56%。再不變的電介質(zhì)也存在必然的溫度電容變革范疇。

圖 1 ：2類電介質(zhì)利用 3 位數(shù)舉辦分類。留意調(diào)查其容差！

當(dāng)我們研究偏壓電容依賴度時(shí)，環(huán)境變得越發(fā)糟糕。圖 2 顯示了一個(gè) 22 uF、6.3伏、X5S 電容器的偏壓依賴度。我們經(jīng)常會(huì)把它用作一個(gè) 3.3 伏負(fù)載點(diǎn) （POL） 穩(wěn)壓器的輸出電容器。3.3 伏時(shí)電容低落 25%，導(dǎo)致輸出紋波增加，從而對(duì)節(jié)制環(huán)路帶寬發(fā)生龐大影響。假如您曾經(jīng)在 5 伏輸出時(shí)利用這種電容器，則在溫度和偏壓之間，電容低落達(dá) 60% 之多，而且由于 2：1 環(huán)路帶寬增加，大概發(fā)生一個(gè)不不變的電源。很多陶瓷電容器廠商都沒(méi)有具體說(shuō)明這一問(wèn)題。

圖 2：留意電容所施加偏壓變革而低落

陶瓷電容器的第二個(gè)潛在缺陷是，它們具有相對(duì)較小的電容和低ESR。在頻域和時(shí)域中，這會(huì)帶來(lái)一些問(wèn)題。假如它們被用作某個(gè)電源的輸入濾波電容器，則它們很容易隨輸入互連電感諧振，形成一個(gè)我們?cè)凇峨娫丛O(shè)計(jì)小貼士 3》（？contentId=53863 ）和《電源設(shè)計(jì)小貼士 4》（？contentId=53864 ）中接頭的振蕩器。要想知道是否存在潛在問(wèn)題，可將寄生互連電感估算為每英寸 15 nH，然后按照這兩篇文章先容的要領(lǐng)把濾波輸出阻抗與電源輸入電阻舉辦比擬。第二個(gè)潛在問(wèn)題存在于時(shí)域中，我們可在以太網(wǎng)電源 （POE） 等系統(tǒng)中看到它們的蹤影。

在這些系統(tǒng)中，電源通過(guò)大互連電感毗連至負(fù)載。負(fù)載通過(guò)一個(gè)開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)開(kāi)啟，并大概會(huì)利用陶瓷電容器構(gòu)建旁路。這種旁路電容器和互連電感可以形成一個(gè)高 Q諧振電路。由于負(fù)載電壓振鈴可以高達(dá)電源電壓的兩倍，因此在負(fù)載下封鎖開(kāi)關(guān)會(huì)形成一個(gè)過(guò)電壓狀態(tài)。這會(huì)引起意外電路妨礙。譬喻， 電解電容，在 POE 中，負(fù)載組件的額定電壓變革可以高達(dá)電源額定電壓的兩倍。

第三個(gè)潛在缺陷的原因是陶瓷電容器為壓電式。也就是說(shuō)，當(dāng)電容器電壓變革時(shí)，其物理尺寸改變，從而發(fā)生可聽(tīng)見(jiàn)的噪聲。譬喻，我們將這種電容器用作輸出濾波電容器時(shí)（存在大負(fù)載瞬態(tài)電流），可能在“綠色”電源中，其在輕負(fù)載狀態(tài)下進(jìn)入突發(fā)模式。這種問(wèn)題的變通辦理方案如下：

· 轉(zhuǎn)而利用更低介電常數(shù)的陶瓷質(zhì)料，譬喻：COG 等。

· 利用差異的電介質(zhì)，譬喻：薄膜等。

· 利用加鉛和外貌貼裝技能 （SMT） 組件，可細(xì)密貼合印制線路板 （PWB）。

· 利用更小體積器件，低落電路板應(yīng)力。

· 利用更厚組件，低落施加電壓應(yīng)力和物理變形。

SMT陶瓷電容器存在的另一個(gè)問(wèn)題是，在PWB彎曲時(shí)，由于電容器和 PWB 之間存在的熱膨脹系數(shù) （TCE） 錯(cuò)配， 鋁電解電容，它們的軟焊討論往往會(huì)裂開(kāi)。您可以采納一些防范法子來(lái)淘汰這種問(wèn)題的產(chǎn)生：

· 封裝尺寸限制為 1210。

· 使電容器遠(yuǎn)離高曲率地域，譬喻：拐角區(qū)等。

· 使電容器朝向電路板短偏向。

· 使電路板安裝點(diǎn)遠(yuǎn)離邊角。

· 在所有裝配進(jìn)程均留意大概呈現(xiàn)的電路板彎曲。

總之，假如您留意其存在的一些小缺點(diǎn)，則對(duì)比電解電容器，多層陶瓷電容器擁有低本錢(qián)、高靠得住性、長(zhǎng)命命和小尺寸等優(yōu)勢(shì)。它們具有很是寬的電容容差范疇，因此您需要對(duì)其溫度和偏壓變革范疇內(nèi)的機(jī)能舉辦評(píng)估。它們均為壓電式，其意味著它們會(huì)在有脈沖電流的系統(tǒng)中發(fā)生可聽(tīng)見(jiàn)的噪聲。最后，它們很容易呈現(xiàn)割裂，因此我們必需采納防范法子來(lái)淘汰這一問(wèn)題的產(chǎn)生。所有這些問(wèn)題都有相應(yīng)的辦理步伐。因此，MLC 電容器仍會(huì)變得越來(lái)越受接待。